Fiche individuelle

The design of high frequency power converters by simulation requires accurate models. Two types of GaN transistors packages exist, with three or four terminals. In this paper, GaN transis-tors with a Kelvin source are considered. The use of a Kelvin source introduces a fourth parasitic inductance increasing the number of magnetic couplings between device terminals. The para-sitic inductances and magnetic couplings are first measured and their impact on the switching losses in GaN devices is studied. The characterization method of these parasitic elements based on measurements of the 3-ports S-parameters is proposed.

Dans les systèmes d'électronique de puissance embarqués, l'augmentation de la fréquence de fonctionnement des convertisseurs statiques permet d’obtenir des densités de puissance plus élevées grâce à l'utilisation de composants rapides à base de matériaux à grand gap de type GaN. Ces composants, caractérisés par de fort di/dt, rendent les commutations sensibles aux inductances parasites du boîtier. Dans ce contexte, les inductances et les couplages magnétiques de la connectique du boîtier GaN, d'ordinaire négligés, peuvent avoir une influence sur les formes d'ondes durant les commutations. Dans cet article, une méthode de mesure des éléments parasites inductifs est proposée, puis une étude de l'influence de ces éléments sur les pertes des systèmes de conversions de puissance est présentée.