{"id":7570,"date":"2022-10-14T16:17:00","date_gmt":"2022-10-14T15:17:00","guid":{"rendered":"https:\/\/l2ep.univ-lille.fr\/?p=7570"},"modified":"2022-12-09T16:20:35","modified_gmt":"2022-12-09T15:20:35","slug":"soutenance-de-these-quentin-fornasiero-14-dec-2022","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/l2ep.univ-lille.fr\/en\/soutenance-de-these-quentin-fornasiero-14-dec-2022\/","title":{"rendered":"Soutenance de th\u00e8se, Quentin FORNASIERO, 14 D\u00e9c. 2022"},"content":{"rendered":"<div style=\"width: 700px; margin: auto;\">\n<p style=\"text-align: center;\"><strong><span style=\"color: #f07e1c;\"><b><span>Fabrication et caract\u00e9risation de transistors HEMT et de diodes \u00e0 base de GaN pour la conversion de tension DC-DC en \u00e9lectronique de puissance<\/span><\/b><\/span><\/strong><\/p>\n<p style=\"text-align: center;\"><strong><span style=\"color: #f07e1c;\"><\/span><\/strong><span style=\"color: #f07e1c;\">Le mercredi 14 d\u00e9cembre 2022\u00a0 \u00e0 10h00,<\/span><span style=\"color: #f07e1c;\"><span style=\"color: #f07e1c;\">\u00a0<\/span>Amphith\u00e9\u00e2tre de l&rsquo;IRCICA<\/span><\/p>\n<p style=\"text-align: center;\"><span style=\"color: #f07e1c;\">Parc Scientifique de la Haute Borne, 50 Avenue Halley<br \/>\n59658 Villeneuve d\u2019Ascq<\/span><\/p>\n<p><strong><span style=\"color: #f07e1c;\">R\u00e9sum\u00e9 :<\/span><\/strong><\/p>\n<p>Ce travail de th\u00e8se s\u2019inscrit dans une probl\u00e9matique constante d\u2019int\u00e9grabilit\u00e9 des syst\u00e8mes \u00e9lectroniques \u00e0 fortes densit\u00e9s de puissance et \u00e0 haut rendement pour l\u2019\u00e9lectronique de puissance dans les secteurs civil, industriel et militaire: transports individuels et urbains, a\u00e9ronautique et spatiale, high-tech. En cela, le Nitrure de Gallium (GaN) est un mat\u00e9riau couvrant une large \u00e9tendue d\u2019applications. C\u2019est un candidat id\u00e9al pour le remplacement de la fili\u00e8re Silicium dont les limites sont aujourd\u2019hui atteintes. Sa robustesse en milieu hostile &#8211; face \u00e0 des temp\u00e9ratures extr\u00eames de plus de 200 \u00b0C, ou sous fort niveau de radiation &#8211; et ses propri\u00e9t\u00e9s de conduction \u00e9lectrique et thermique exceptionnelles en font un mat\u00e9riau de premier choix pour une nouvelle g\u00e9n\u00e9ration de composants pour l\u2019\u00e9lectronique de puissance. Aujourd\u2019hui, le principal verrou technologique s\u2019opposant \u00e0 son essor sur le march\u00e9 est induit par des m\u00e9canismes complexes de pi\u00e9geages des porteurs de charges \u00e9lectriques, limitant les performances en commutation \u00e0 haute tension. de tels dispositifs. Ainsi, les objectifs de cette th\u00e8se consistent en la r\u00e9alisation conjointe de diodes et de transistors HEMT de puissance sur h\u00e9t\u00e9rojonction AlGaN\/GaN, plus sp\u00e9cifiquement adapt\u00e9 aux syst\u00e8mes de conversion de tensions DC-DC. Le d\u00e9veloppement d\u2019un proc\u00e9d\u00e9 de fabrication de technologies normally-off est au coeur de ce travail, notamment les proc\u00e9d\u00e9s de traitement de surface AlGaN par plasma SF6 et de d\u00e9p\u00f4t d\u2019oxyde pour la r\u00e9alisation de grille MOS. Enfin, la caract\u00e9risation \u00e9lectrique et physique des composants et des h\u00e9t\u00e9rostructures \u00e0 base de GaN apport des informations essentielles \u00e0 la compr\u00e9hension des m\u00e9canismes de transport des charges \u00e9lectriques en vue de l\u2019optimisation des proc\u00e9d\u00e9s de d\u00e9veloppement technologique d\u00e9di\u00e9s \u00e0 l\u2019\u00e9lectronique de puissance.<\/p>\n<div><\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Fabrication et caract\u00e9risation de transistors HEMT et de diodes \u00e0 base de GaN pour la conversion de tension DC-DC en \u00e9lectronique de puissance Le mercredi 14 d\u00e9cembre 2022\u00a0 \u00e0 10h00,\u00a0Amphith\u00e9\u00e2tre de l&rsquo;IRCICA Parc Scientifique de la Haute Borne, 50 Avenue Halley 59658 Villeneuve d\u2019Ascq R\u00e9sum\u00e9 : Ce travail de th\u00e8se s\u2019inscrit dans une probl\u00e9matique constante [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":8,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":[],"categories":[16,3],"tags":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/l2ep.univ-lille.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/7570"}],"collection":[{"href":"https:\/\/l2ep.univ-lille.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/l2ep.univ-lille.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/l2ep.univ-lille.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/users\/8"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/l2ep.univ-lille.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=7570"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/l2ep.univ-lille.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/7570\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":7571,"href":"https:\/\/l2ep.univ-lille.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/7570\/revisions\/7571"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/l2ep.univ-lille.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=7570"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/l2ep.univ-lille.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=7570"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/l2ep.univ-lille.fr\/en\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=7570"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}